Специалистам компании Hewlett-Packard удалось еще на один шаг приблизиться к разработке устройств хранения данных нового поколения, основанных на мемристорах.
Мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Возможность существования мемристора была предсказана в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли (США) Леоном Чуа, однако на практике создать прототип мемристора долгое время не удавалось.
В 2008 году ученые HP смогли получить опытный образец. Ключевой особенностью элемента этого типа является гистерезис, когда реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Благодаря этому элемент можно использовать в качестве ячейки памяти.
Как теперь сообщается, специалисты НР, используя рентгеновское излучение, смогли установить, какие процессы происходят в структуре мемристоров в момент прохождения через них электрического тока. Кроме того, инженеры разработали опытный образец энергонезависимой памяти на основе мемристоров, который обеспечивает плотность хранения данных в 12 Гб/см².
Ожидается, что коммерческие устройства на основе мемристоров могут появиться в середине 2013 года. Такая память рассматривается в качестве потенциальной замены флеш-памяти и памяти DRAM.
Мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Возможность существования мемристора была предсказана в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли (США) Леоном Чуа, однако на практике создать прототип мемристора долгое время не удавалось.
В 2008 году ученые HP смогли получить опытный образец. Ключевой особенностью элемента этого типа является гистерезис, когда реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Благодаря этому элемент можно использовать в качестве ячейки памяти.
Как теперь сообщается, специалисты НР, используя рентгеновское излучение, смогли установить, какие процессы происходят в структуре мемристоров в момент прохождения через них электрического тока. Кроме того, инженеры разработали опытный образец энергонезависимой памяти на основе мемристоров, который обеспечивает плотность хранения данных в 12 Гб/см².
Ожидается, что коммерческие устройства на основе мемристоров могут появиться в середине 2013 года. Такая память рассматривается в качестве потенциальной замены флеш-памяти и памяти DRAM.
Обсуждения Устройства памяти на мемристорах могут появиться к 2013