Лучший молодой ученый по полупроводникам

Научная работа учащегося СПбГУ получила самую высокую оценку на проходившей с 19 по 24 сентября в Великобритании международной научной конференции по протяжённым дефектам в полупроводниках (EDS-2010). В её работе приняли участие специалисты из 24 стран мира. Среди них был и магистрант кафедры электроники твёрдого тела физического факультета СПбГУ Иван Исаков. Его научная работа «Глубокие уровни дислокационных сеток в кремнии p- и n- типа» была признана лучшей среди представленных молодыми учёными (в том числе имеющими степень PhD), а сам автор награждён именной премией Гельмута Александра (Helmut Alexander award) «за достижения в понимании структуры и свойств протяжённых дефектов в полупроводниках». Об этом сообщает издание «Наука и технологии России».

«Работа Ивана решает фундаментальную задачу, имеющую и практическое значение, – говорит научный руководитель Исакова Олег Вывенко, профессор физического факультета и директор Междисциплинарного ресурсного центра (МРЦ) по направлению «Нанотехнологии» СПбГУ. – Дислокационные сетки рассматриваются как кандидат для создания электронных приборов нового поколения. Одна из проблем современных процессоров – потери энергии при проводной передаче информации (в одном процессоре – до проводов). Учёные хотят добиться того, чтобы часть информации внутри процессора передавалось беспроводным способом, с помощью оптических элементов. Для этого нужно создать излучатель на основе кремния, и один из кандидатов – это дислокационные сетки. В работе Ивана Исакова впервые исследовались определённые энергетические уровни, чтобы понять, насколько эта система подходит для решения прикладных задач».