Исследователи из американского Университета Райс продемонстрировали новый тип экспериментально запоминающего устройства, состоящего всего из 10 атомов графена. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить емкость модулей памяти, кроме того данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200 градусов, сохраняя всю информацию.
По словам руководителя исследований профессора Джеймса Тура, первые образцы памяти на основе графена были получены еще полтора года назад, теперь специалисты говорят, что их разработки способны хранить записанные на них данные продолжительное время.
Во время лабораторных тестов группе профессора Тура удалось создать кремниевые модули, на которых были размещены 10 атомарных слоев графена, в итоге полученный графеновый слой получил толщину около 5 нанометров. Исследователи говорят, что в новых экспериментальных модулях базовые ячейки хранения информации примерно в 40 раз меньше ячеек, используемых в самых современных 20-нанометровых модулях NAND-памяти.
По мнению профессора Тура, использовать каждый атом графена для гранения одного бита в ближайшие годы будет вряд ли возможно, а вот объединять несколько атомов этого вещества для хранения бита вполне реально. Но даже такой способ все равно будет означать качественный скачок в сравнении с существующими запоминающими устройствами.
Еще одно преимущество разработки заключается в беспрецедентной экономичности потребляемой энергии. Для хранения данных модули памяти используют два исходных состояния - нейтральное состояние (условно говоря выключенное) и заряженное состояние (условно говоря включенное). Для того, чтобы закодировать 1 бит информации в графеновых модулях требуется объем электроэнергии в миллион раз меньший, чем для кодирования того же бита в нынешних кремниевых чипах.
Исследователи говорят, что рабочая температура "графеновой памяти" составляет от минус 75 до плюс 200 градусов по Цельсию.
Единственная проблема, которую физики пока не могут решить заключается в создании многослойных модулей памяти на базе графена, а также скорость доступа к данным, которая сейчас составляет около 100 наносекунд, против 50 наносекунд у SSD-накопителей и 10 наносекунд у последних образцов модулей оперативной памяти компьютеров.
Во время лабораторных тестов группе профессора Тура удалось создать кремниевые модули, на которых были размещены 10 атомарных слоев графена, в итоге полученный графеновый слой получил толщину около 5 нанометров. Исследователи говорят, что в новых экспериментальных модулях базовые ячейки хранения информации примерно в 40 раз меньше ячеек, используемых в самых современных 20-нанометровых модулях NAND-памяти.
По мнению профессора Тура, использовать каждый атом графена для гранения одного бита в ближайшие годы будет вряд ли возможно, а вот объединять несколько атомов этого вещества для хранения бита вполне реально. Но даже такой способ все равно будет означать качественный скачок в сравнении с существующими запоминающими устройствами.
Еще одно преимущество разработки заключается в беспрецедентной экономичности потребляемой энергии. Для хранения данных модули памяти используют два исходных состояния - нейтральное состояние (условно говоря выключенное) и заряженное состояние (условно говоря включенное). Для того, чтобы закодировать 1 бит информации в графеновых модулях требуется объем электроэнергии в миллион раз меньший, чем для кодирования того же бита в нынешних кремниевых чипах.
Исследователи говорят, что рабочая температура "графеновой памяти" составляет от минус 75 до плюс 200 градусов по Цельсию.
Единственная проблема, которую физики пока не могут решить заключается в создании многослойных модулей памяти на базе графена, а также скорость доступа к данным, которая сейчас составляет около 100 наносекунд, против 50 наносекунд у SSD-накопителей и 10 наносекунд у последних образцов модулей оперативной памяти компьютеров.
Обсуждения Цифровая память